2019年度ナノテクノロジープラットフォーム 支援一覧表
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| 課題番号 | 支援期間 | 支援形態 | 支援依頼機関 | 研究課題 |
|---|---|---|---|---|
| F-19-RO-0001 | H31,4/8〜R1,8/31 | （B）機器利用 | �螢轡淵検璽謄�ニカ | Arガスを用いたプラズマエッチング量の調査 |
| F-19-RO-0002 | H31,4/1〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 三菱ケミカル�� | ラザフォード後方散乱測定装置を用いた無機系の蒸着膜の組成分析 |
| F-19-RO-0003 | R1,5/1〜R2,1/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | ダブルゲート・ジャンクションレスn-ch多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタの開発 |
| F-19-RO-0004 | H31,4/1〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | 負性容量４端子poly-Si TFTの開発 |
| F-19-RO-0008 | H31,4/8〜R2,3/31 | （A）共同研究 | 広島大学 | 分子性金属酸化物をコートしたSiO2薄膜の電気化学特性の評価および製造プロセスの検討 |
| F-19-RO-0009 | H31,4/12〜R1,9/30 | （C）技術代行 | 広島大学 | 太陽電池の製作 |
| F-19-RO-0010 | R1,7/1〜R1,9/30 | （C）技術代行 | 広島大学附属高等学校 | 太陽電池の製作と基礎実験 |
| F-19-RO-0011 | R1,5/7〜R2,2/28 | （B）機器利用 | �螢侫�ルネックス | 半導体薄膜接合技術の応用研究 |
| F-19-RO-0012 | H31,4/11〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 金属ナノパターンによる光波制御 |
| F-19-RO-0013 | H31,4/15〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 久留米工業高専 | 有機トランジスタの試作 |
| F-19-RO-0014 | R1,5/20〜R2,3/31 | （A）共同研究 | 京都工芸繊維大学 | 金属ナノ粒子標的に対するスパッタリング収率の入射イオンエネルギー依存性 |
| F-19-RO-0015 | R1,5/15〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 京都大学 | ｐ型シリコンへのリンの拡散およびボロンのイオン注入 |
| F-18-RO-0016 | R1,5/16〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 微生物を分離培養する新規なデバイスの開発 |
| F-19-RO-0018 | R1,6/12〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | 低温成長 GaAs 系混晶半導体の熱処理前後の評価 |
| F-19-RO-0019 | R1,6/3〜R1,6/7 | （E）技術補助 | Hanoi National University of Education | Multi-Peak Metamaterial Perfect Absorber with Connected Square Rings |
| F-19-RO-0020 | R1,6/5〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 低温成長GaAs系混晶半導体の表面形状の観察 |
| F-19-RO-0021 | R1,6/12〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 名古屋大学 | GeコアSi量子ドット発光デバイスの開発 |
| F-19-RO-0022 | R1,6/13〜R2,2/28 | （A）共同研究 | 広島国際大学 | 電子顕微鏡による含水サンプルの観察のためのDLC薄膜の開発 |
| F-19-RO-0023 | R1,6/19〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | 低温で成長した数原子層 As 系化合物半導体の組成解析 |
| F-19-RO-0024 | R1,7/22〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 九州大学総合理工学府 | スピンデバイス開発に向けた横型スピンバルブ素子の作製 |
| F-19-RO-0027 | R1,7/25〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 低温成長GaAs系混晶半導体の導電性制御 |
| F-19-RO-0029 | R1,7/16〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | フォトクロミック金属酸化物の蓄電性能の確認 |
| F-19-RO-0030 | R1,7/17〜R2,3/31 | （E）技術補助 | 広島大学 | ビチオフェンジオン系ポリマーにおける構造異性体が電荷輸送特性に与える影響 |
| F-19-RO-0032 | R1,7/26〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | 非加熱プロセスでの酸化ニッケル膜の作製 |
| F-19-RO-0034 | R1,8/19〜R1,8/24 | （C）技術代行 | 大島商船高専 | ＣＭＯＳ ＮＡＮＤ回路による半加算器 |
| F-19-RO-0037 | R1,8/19〜R1,8/24 | （B）機器利用 | ��SUMCO | ＣＭＯＳ 論理回路 |
| F-19-RO-0038 | R1,10/2〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 静岡大学 | 大面積プラズモニック基板の作製 |
| F-19-RO-0039 | R1,11/13〜R2,1/31 | （C）技術代行 | 筑波大学 | スパッタ法により形成した薄膜太陽電池材料の組成比制御 |
| F-19-RO-0040 | R1,10/16〜R2,1/31 | （C）技術代行 | 東京医科歯科大学 | ナノワイヤバイオセンサーの作製 |
| F-19-RO-0042 | R1,12/1〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 九州工業大学 | ダイヤモンド薄膜の色中心に関する研究 |
| F-19-RO-0043 | R1,10/2〜R2,3/20 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | SIMS分析によるGeのCu金属誘起固相成長のメカニズムの解明 |
| F-19-RO-0044 | R1,10/9〜R2,2/28 | （C）技術代行 | 静岡大学 | 高空間分解能イオンセンサーの開発 |
| F-19-RO-0045 | R1,12/1〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 京都工芸繊維大学 | イオン照射によるプラスティック上導電性DLC形成技術の研究 |
| F-19-RO-0048 | R2,1/6〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | セレン化銅薄膜の熱電特性 |
| F-19-RO-0049 | R2,1/6〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 硫化銅系薄膜の熱電特性 |
| F-19-RO-0050 | R2,1/13〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 島根大学 | ガラス基板上単結晶Si薄膜トランジスタの試作 |
| F-19-RO-0051 | R1,12/18〜R2,2/29< | （E）技術補助 | 広島大学 | 分子性金属酸化物を用いたキャパシタ型デバイスの開発および特性評価 |
| F-19-RO-0052 | R2,1/16〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 岡山大学 | 金属ナノ粒子の形成を目指した、脂質膜を反応場とする化学還元法の開発 |
| F-19-RO-0053 | R2,1/22〜R2,3/31 | （A）共同研究 | 大阪大学 | 透明基板上GeSn発光・受光素子の開発 |
| F-19-RO-0054 | R2,1/29〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 細菌による重金属イオン回収およびその副産物のキャラクタリゼーション |
| F-19-RO-0055 | R2,2/1〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | RTAによる強誘電体HfZrOxの形成 |
| F-19-RO-0056 | R2,2/5〜R2,3/31 | （C）技術代行 | 量子科学技術研究開発機構 | イオン注入による炭化ケイ素への単一光子源の生成 |
| F-19-RO-0057 | R2,1/8〜R2,1/10 | （B）機器利用 | 北陸先端科学技術大学院大学 | MEMSプロセスの技術面，教養面の支援 |
| F-19-RO-0058 | R1,10/1〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 薄膜評価用チップの作製を目的とした電子線描画装置の検討 |
| F-19-RO-0059 | R1,10/1〜R2,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | アレイ化光リング共振器チップの光学特性評価 |
