機器・利用料金一覧
料金（税込）　適用時期：令和4年4月1日〜
　　　　注：各装置の対応ウェーハ・サイズは、表中に記載しております。
　　　　＊印のクリーンルーム内設置機器では,別途クリーンルーム利用料（1,100円/時間）が掛かります。
　　　　なお、成果非公開型の場合には、料金は下表の約２．６倍となります。
（技術代行料：3,300円/時間、技術相談料：3,300円/時間、クリーンルーム利用料：1,100円/時間、ドラフト利用料：1,100円/時間　も成果非公開型の場合には、約２．６倍となります。）
機器ID装置
(＊印：ｸﾘｰﾝﾙｰﾑ内設置)		性能ほか利用料金(円/時間)
RO-111超高精度電子ビーム描画装置
(エリオニクス，ELS-G100)*		ポイントビーム型，加速25,50,75,100kV，最小線幅6nm，
対応wafer：２〜６inch，cut wafer		12,650
RO-112マスクレス露光装置
(ナノシステムソリューションズ，DL-1000)*		DMDに表示された露光パターンの縮小投影技術で最小線幅1μmを実現，レーザ光源405nm 0.5W
対応wafer：２〜４inch、cut wafer他		6,600
RO-113マスクレス露光装置
(ハイデルベルグ・インストルメンツ，MLA150)*		DMDに表示された露光パターンの縮小投影技術で最小線幅1μmを実現，レーザ光源375nm 7.2W
対応wafer：２〜６inch、cut wafer他		8,800
RO-121スピンコーター
(タツモ，TMR6100)*		レジスト等のスピンコーティング
対応wafer：２inch、cut wafer他		2,200
RO-131レイアウト設計ツールＩＣ，ＭＥＭＳデバイス設計用ソフト。Tanner社L-Edit3,300
RO-211イオン注入装置
(アルバック，IM-200M)*		5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能
対応wafer：２inch、cut wafer
なお、本設備は2022年11月ごろから年度末にかけて、長期間のメンテナンスを予定しております。
ご迷惑をおかけしますが、よろしくお願いいたします。		9,900
RO-221酸化炉（3台）
（ｹﾞｰﾄ用、Field用、ﾎﾟﾘSi用）
(東京エレロン，370MI-MINI)*		Si基板上への熱酸化膜形成，最高使用温度1050℃
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-222Rapid Thermal Anneal装置
(サムコ，HT-1000)*		高速アニール用，昇温速度最大200℃/s（N2, O2, Ar）
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-223インプラ後アニール炉
(東京エレクトロン，370MI- MINI)*		イオン注入後の活性化アニール用，最高使用温度1050℃
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-224ウェル拡散炉
(東京エレクトロン，370MI-MINI)*		イオン注入後の活性化アニール用，最高使用温度1150℃
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-225ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉(神港精機)*Al電極形成後の水素アニール用，最高使用温度900℃（N2, H2）
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-226燐拡散炉
(神港精機)*		リンの固相拡散，最高使用温度900℃
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-227汎用熱処理装置
(光洋サーモシステム，KTF453N-VP)*		各種材料窒素アニール用(400〜1000℃)
対応wafer：２inch、cut wafer		3,300
RO-231連続発振レーザアニール装置
（レーザ結晶化装置）
【技術代行専用】(自作)*		 レーザ出力：0.24 〜 10.0 W、
レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度：0.1 〜 10 cm/s、
対応wafer：２inch、cut wafer		22,000
RO-311LPCVD装置
(東京エレクトロン，Poly-Si用)*		ポリシリコン成膜用，成膜温度635℃
対応wafer：２inch、cut wafer		6,600
RO-312LPCVD装置
(東京エレクトロン，SiN用)*		窒化シリコン成膜用，成膜温度750℃
対応wafer：２inch、cut wafer		6,600
RO-313LPCVD装置
(東京エレクトロン, SiO2用）*		SiO2成膜用，�．皀離轡薀鵑醗貉晴獣眩悩�合モード、��TEOS+オゾン　の２つのモード可，最高温度850℃， 対応wafer：２inch、cut wafer6,600
RO-314常圧SiO2CVD装置
（天谷製作所，M01)*		SiO2成膜用，SiH4＋O2，基板温度400℃，PおよびBのドープのその場ドーピング可能，対応wafer：２inch8,800
RO-315プラズマCVD(PECVD)装置
（アルパック）*		SiO2，SiN薄膜の堆積
対応wafer：２inch、cut wafer		8,800
RO-316ICP - CVD装置
　【技術代行専用】
(アユミ工業)*		 アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜
対応wafer：４inch以下 		8,800
RO-317CCP - CVD装置
　【技術代行専用】
(アユミ工業)*		 n型アモルファスシリコン膜の成膜
対応wafer：４inch以下 		8,800
RO-318リモートPECVD装置
　【技術代行専用】
(アユミ工業)*		 SiO2，SiNx膜等の絶縁膜の成膜
対応wafer：４inch以下 		11,000
RO-321スパッタ装置
(エイコー，Al用)（エイコー）*		超高真空仕様,Al以外にTi, TiNのスパッタが可能, DCマグネトロン（Ar, N2）
対応wafer：２inch、cut wafer		3,850
RO-322スパッタ装置
(エイコー，汎用)（エイコー）*		各種材料スパッタ用（3インチターゲット交換により広範な材料に対応）スパッタガス（Ar・O2・N2）
対応wafer：２inch、cut wafer		3,850
RO-323スパッタ装置
(エイコー，Cu用)（エイコー）*		Cu成膜用，DCマグネトロン（Ar, H2）
対応wafer：２inch		3,850
RO-324多元スパッタ装置
(アネルバ，E-200S）*		Ti,Ni,Nb,TiNのスパッタが可能，(スパッタガス:Ar,O2,N2)
対応wafer：２inch、cut wafer		6,600
RO-331真空蒸着装置
（アルパック，)*		抵抗加熱型の蒸着装置。２種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。
対応wafer：２inch以下		2,200
RO-411エッチング装置
(神戸製鋼，RIE SiO2用)*		SiO2エッチング用，CF4, H2使用可能，
対応wafer：２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可		2,860
RO-412汎用プラズマ処理装置
(神戸製鋼，RIE )*		プラズマ暴露試験用，SF6使用可能，
対応wafer：２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可		2,200
RO-413エッチング装置
(住友精密工業，Si深掘用，MUC-21)*		Bosch　Processを用いたシリコン深掘エッチング装置， C4F8, SF6, O2, Ar使用可能
対応wafer：４inch以下		8,800
RO-414エッチング装置
(YOUTEC，ICP Al用，12-228PH)*		Alエッチング用, Cl2, BCl3, N2使用可能
対応wafer：２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可		2,860
RO-415エッチング装置
(神戸製鋼，CDE SiN用)*		 ケミカルドライエッチング装置, ポリシリコン，窒化シリコンエッチング用，CF4, O2, N2使用可能
対応wafer：２,３inch、cut wafer		2,860
RO-416エッチング装置
(神戸製鋼，Ashing用)*		レジストアッシング用，O2, N2使用可能　レジストアッシング用，対応wafer：２inch、cut wafer2,860
RO-417エッチング装置
（YOUTEC，ICP poly-Siゲート用，12-228PH）*		Siエッチング用, Cl2, O2, N2, HBr使用可能
対応wafer：２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可		2,860
RO-418エッチング装置
(エイコー，汎用，VX-20S)*		各種材料エッチング用，CF4, O2, N2使用可能
対応wafer：２inch、cut wafer		5,500
RO-511プローバ
(日本マイクロニクス C-51)		解析・評価を行うためのマニュアルプローバ2,860
RO-512半導体パラメータアナライザ
( アジレント　ＨＰ4156他 )		トランジスタ特性測定，電源3ユニット，最小測定電流0.1pA3,300
RO-513LCRメータ
( アジレント　ＨＰ4284 )		周波数 20Hz〜1MHz 　 16048B2,200
RO-514インピーダンスアナライザ
( アジレント　ＨＰ4294 )		周波数 40Hz〜110MHz 16048H2,200
RO-515ホール効果測定装置
(ACCENT，HL5500PC)*		試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可，
クリーンルーム内に設置		3,300
RO-521走査電子顕微鏡:SEM
(日立，S-4700)*		冷陰極電界放出型電子銃、最高分解能1.5nm，
クリーンルーム内に設置		2,200
RO-522EBSD解析装置
　【技術代行専用】
(日本電子JSM-7100F)*		 EBSD測定により試料結晶面方位、結晶粒マッピング等の結晶構造解析を行う。
クリーンルーム内に設置		11,000
RO-523二次イオン質量分析装置:SIMS
(アルバックファイ，SIMS6650)		Cs,Oガン装備四重極型質量分析機、
一次イオン最小加速エネルギー1keV		7,700
RO-524蛍光X線分析装置(XRF)
(リガク，ZSX-400)*		波長分散型XRF　　金属などの組成分析
対応wafer：〜１２inch以下，
クリーンルーム内に設置		3,300
RO-525X線光電子分光装置(XPS)
(クレイトスアナリティカル，ESCA-3400)*		X線源：Mg Kα，　クリーンルーム内に設置,
電子結合エネルギー走査範囲：1150 〜 -10 eV		5,500
RO-526薄膜構造評価X線回析装置(XRD)　(リガク，ATX-E)角度分解能 0.0002度(2θ)2,200
RO-531分光エリプソメーター
(J.A. Woollam Japan，M2000-D)*		測定可能最小膜厚10nm，
分光波長範囲193〜1000nm，
クリーンルーム内に設置		2,200
RO-532干渉式膜厚計
(ナノメトリクス ジャパン，AFT 5000)*		可視光及び紫外光光源，
多層膜対応解析ソフト搭載。
クリーンルーム内に設置		1,100
RO-533原子間力顕微鏡:AFM
(セイコーインスツルメンツ，SPI3800)*		分解能：z:0.01nm,　Ｘ、Ｙ：0.1nm, 視野：最小5nm角、最大 20μm角、
クリーンルーム内に設置		2,200
RO-534表面段差計
(BRUKER, Dektak XT-E)*		垂直範囲：10nm〜1mm，
垂直解像度：最高0.1nm，クリーンルーム内に設置		2,200
RO-601ダイサー
（DISCO, DAD322）		Si, SiO2, SiCウェハ等のダイシング
対応Wafer：6inch以下		3,300
RO-602PDMS加工装置
（魁･THINKEYほか）		ポリジメチルシロキサン(PDMS)加工用の塗布装置、真空撹拌脱泡装置、オーブン等の装置群3,300
RO-6033Dプリンタ
( XYZ　ダヴィンチCOLOR )		熱溶解積層（Fused Filament Fabrication：FFF）方式4,400
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