機器・利用料金一覧

料金(税込)適用時期:平成29年6月15日〜 (平成29年6月1現在)
    注:全ての装置は2インチシリコンウェハ対応です。
    *印の機器は,別途クリーンルーム利用料(900円/時間)が掛かります。
    なお、成果非公開型の場合には、料金は下表の2倍となります。
装置性能ほか利用料金(円/時間)
超高精度電子ビーム描画装置
(エリオニクス,ELS-G100)*
ポイントビーム型、加速25,50,100kV、最小線幅6nm20,000
電子ビーム露光装置
(日立, HL700)*
可変成形型、加速50kV、最小線幅50nm12,000
電子ビーム露光装置
(日本電子 JBX-5D)*
ポイントビーム型、最小線幅30nm6,600
i線ステッパ
(ニコン,NIKONi8a)*
最小線幅350nm5,000
マスクレス露光装置
(ナノシステムソリューションズ,DL-1000)*
DMDに表示された露光パターンの縮小投影技術で最小線幅1μmを実現6,000
エッチング装置
(神戸製鋼,ECR Si用)*
Cl2, O2, N2, HBr使用可能、30nm加工実績有り2,500
エッチング装置
(神戸製鋼,RIE SiO2用)*
CF4, H2使用可能2,500
エッチング装置
(神戸製鋼,RIE Al用)*
Cl2, BCl3, N2使用可能、2μm加工実績有り1,400
エッチング装置
(YOUTEC,ICP Al用,12-228PH)*
Cl2, BCl3, N2使用可能2,500
エッチング装置
(YOUTEC,ICP poly-Siゲート用,12-228PH)*
Cl2, O2, N2, HBr使用可能2,500
エッチング装置
(神戸製鋼,CDE SiN用)*
CF4, O2, N2使用可能2,500
エッチング装置
(神戸製鋼,レジスト Ashing用)*
O2, N2使用可能 レジストアッシング用2,500
エッチング装置
(エイコー,汎用,VX-20S)*
CF4, O2, N2使用可能5,000
エッチング装置
(住友精密工業,Si深掘用,MUC-21)*
ボッシュプロセスを用いた深掘エッチング装置, C4F8, SF6, O2, Ar使用可能12,100
エッチング装置
(ICP SiO2用サムコ MP-300iP)*
CF4, O2, H2使用可能5,000
表面活性化接合装置
(エイコー,EHB-400)*
Siウエハの接合(35mmと10mn角), 650℃中1000kgfまで加圧可能, H2, Ar使用可能15,000
PDMS加工装置
(魁・THINKEYほか)
ポリジメチルシロキサン(PDMS)加工用の塗布装置、真空撹拌脱泡装置、オーブン等の装置群3,000
酸化炉3台
(東京エレロン,370MI-MINI)*
最高使用温度1050℃3,000
ウェル拡散炉
(東京エレクトロン,370MI-MINI)*
最高使用温度1050℃3,000
インプラ後アニール炉
(東京エレクトロン,370MI- MINI)*
最高使用温度1050℃3,000
燐拡散炉
(神港精機)*
最高使用温度900℃3,000
汎用熱処理装置
(光洋サーモシステム,KTF453N-VP)*
各種材料窒素アニール用(400〜1000℃)3,000
ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉
(神港精機)*
最高使用温度900℃(N2, H23,000
Rapid Thermal Anneal装置
(サムコ,HT-1000)*
昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)3,000
イオン注入装置
(アルバック,IM-200M)*
5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能9,000
スパッタ装置
(エイコー,Al用)(エイコー)*
超高真空仕様,Al以外にTi, TiNのスパッタが可能, DCマグネトロン(Ar, N23,500
スパッタ装置
(エイコー,Cu用)(エイコー)*
DCマグネトロン(Ar, H22,500
スパッタ装置
(エイコー,汎用)(エイコー)*
各種材料スパッタ用(3インチターゲット交換により広範な材料に対応)スパッタガス(Ar・O2・N22,500
LPCVD装置
(東京エレクトロン,Poly-Si用)*
モノシランの熱分解、650℃6,000
LPCVD装置
(東京エレクトロン,SiN用)*
ジクロルシランとアンモニアの反応、基板温度750℃6,000
LPCVD装置
(東京エレクトロン, SiO2用)*
モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾンの2つのモード可 最高温度850℃ 6,000
プラズマCVD(PECVD)装置
(アルパック)*
SiO2,SiN薄膜の堆積8,000
常圧SiO2CVD装置
(天谷製作所,M01)*
SiH4+O2,基板温度400℃,PおよびBのドープのその場ドーピング可能8,000
設計・T-CAD用ワークステーションCadence, Synopsys社などの主要CADベンダーのCADツールやプロセスデバイスシミュレーションソフトを搭載した高性能ワークステーション多数3,000
走査電子顕微鏡:SEM
(日立,S-4700)*
冷陰極電界放出型電子銃、最高分解能1.5nm、クリーンルーム内に設置1,500
二次イオン質量分析装置:SIMS
(アルバックファイ,SIMS6650)
Cs,Oガン装備四重極型質量分析機、一次イオン最小加速エネルギー1keV7,000
原子間力顕微鏡:AFM
(セイコーインスツルメンツ,SPI3800)*
分解能:z:0.01nm, X、Y:0.1nm, 視野最小5nm角、最大 20μm角、クリーンルーム内に設置2,000
干渉式膜厚計
(日本ナノメトリクス,AFT 5000)*
可視光及び紫外光光源、多層膜対応解析ソフト搭載。クリーンルーム内に設置800
分光エリプソメーター
(J.A. Woollam Japan,M2000-D)*
測定可能最小膜厚10nm,分光波長範囲193〜1000nm、クリーンルーム内に設置2,000
デバイス測定装置
(HP4156、3台、プローバ3台含む)
トランジスタ特性測定、電源3ユニット、最小測定電流0.1pA3,000
低温測定装置
(Desert HYTT-01)
液体He使用、最大試料系2インチ、測定用プローブ4本5,000
ロジックアナライザ他Agilent社などの世界の主要LSI測定装置メーカの高性能ロジック・アナライザ2台他5,000
表面段差計
(デクタック, Dektak3ST)*
垂直範囲:10nm〜130μm、垂直解像度:最高0.1nm800
ラザフォード後方散乱(RBS)測定装置
(日新ハイボルテージ,AN-2000H )
加速イオン:H+, D+,3He+4He+14N+ 他、
加速電圧:最大2.40 MV、ビーム電流:3μA-50μA
6,000
薄膜構造評価X線回析装置(XRD)
(リガク,ATX-E)
角度分解能 0.0002度(2θ)2,000
蛍光X線分析装置(XRF)
(リガク,ZSX-400)*
金属などの組成分析3,000
X線光電子分光装置(XPS)
(クレイトスアナリティカル,ESCA-3400)*
X線源:Mg Ka, 電子結合エネルギー走査範囲:1150 〜 -10 eV5,000
ホール効果測定装置
(ACCENT,HL5500PC)*
試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可3,000
光学スペクトル測定装置
()
光導波路伝搬特性などの評価3,000
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