機器・利用料金一覧
料金(税込) 適用時期:令和4年4月1日〜
    注:各装置の対応ウェーハ・サイズは、表中に記載しております。
    *印のクリーンルーム内設置機器では,別途クリーンルーム利用料(1,100円/時間)が掛かります。
    なお、成果非公開型の場合には、料金は下表の約2.6倍となります。
(技術代行料:3,300円/時間、技術相談料:3,300円/時間、クリーンルーム利用料:1,100円/時間、ドラフト利用料:1,100円/時間 も成果非公開型の場合には、約2.6倍となります。)
機器ID装置
(*印:クリーンルーム内設置)
性能ほか利用料金(円/時間)
RO-111超高精度電子ビーム描画装置
(エリオニクス,ELS-G100)*
ポイントビーム型,加速25,50,75,100kV,最小線幅6nm,
対応wafer:2〜6inch,cut wafer
12,650
RO-112マスクレス露光装置
(ナノシステムソリューションズ,DL-1000)*
DMDに表示された露光パターンの縮小投影技術で最小線幅1μmを実現,レーザ光源405nm 0.5W
対応wafer:2〜4inch、cut wafer他
6,600
RO-113マスクレス露光装置
(ハイデルベルグ・インストルメンツ,MLA150)*
DMDに表示された露光パターンの縮小投影技術で最小線幅1μmを実現,レーザ光源375nm 7.2W
対応wafer:2〜6inch、cut wafer他
8,800
RO-121スピンコーター
(タツモ,TMR6100)*
レジスト等のスピンコーティング
対応wafer:2inch、cut wafer他
2,200
RO-131レイアウト設計ツールIC,MEMSデバイス設計用ソフト。Tanner社L-Edit3,300
RO-211イオン注入装置
(アルバック,IM-200M)*
5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能
対応wafer:2inch、cut wafer
なお、本設備は2022年11月ごろから年度末にかけて、長期間のメンテナンスを予定しております。
ご迷惑をおかけしますが、よろしくお願いいたします。
9,900
RO-221酸化炉(3台)
(ゲート用、Field用、ポリSi用)
(東京エレロン,370MI-MINI)*
Si基板上への熱酸化膜形成,最高使用温度1050℃
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-222Rapid Thermal Anneal装置
(サムコ,HT-1000)*
高速アニール用,昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-223インプラ後アニール炉
(東京エレクトロン,370MI- MINI)*
イオン注入後の活性化アニール用,最高使用温度1050℃
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-224ウェル拡散炉
(東京エレクトロン,370MI-MINI)*
イオン注入後の活性化アニール用,最高使用温度1150℃
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-225ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉(神港精機)*Al電極形成後の水素アニール用,最高使用温度900℃(N2, H2
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-226燐拡散炉
(神港精機)*
リンの固相拡散,最高使用温度900℃
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-227汎用熱処理装置
(光洋サーモシステム,KTF453N-VP)*
各種材料窒素アニール用(400〜1000℃)
対応wafer:2inch、cut wafer
3,300
RO-231連続発振レーザアニール装置
(レーザ結晶化装置)
【技術代行専用】(自作)*
レーザ出力:0.24 〜 10.0 W、
レーザ径:1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度:0.1 〜 10 cm/s、
対応wafer:2inch、cut wafer
22,000
RO-311LPCVD装置
(東京エレクトロン,Poly-Si用)*
ポリシリコン成膜用,成膜温度635℃
対応wafer:2inch、cut wafer
6,600
RO-312LPCVD装置
(東京エレクトロン,SiN用)*
窒化シリコン成膜用,成膜温度750℃
対応wafer:2inch、cut wafer
6,600
RO-313LPCVD装置
(東京エレクトロン, SiO2用)*
SiO2成膜用,.皀離轡薀鵑醗貉晴獣眩悩合モード、TEOS+オゾン の2つのモード可,最高温度850℃, 対応wafer:2inch、cut wafer6,600
RO-314常圧SiO2CVD装置
(天谷製作所,M01)*
SiO2成膜用,SiH4+O2,基板温度400℃,PおよびBのドープのその場ドーピング可能,対応wafer:2inch8,800
RO-315プラズマCVD(PECVD)装置
(アルパック)*
SiO2,SiN薄膜の堆積
対応wafer:2inch、cut wafer
8,800
RO-316ICP - CVD装置
 【技術代行専用】
(アユミ工業)*
アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜
対応wafer:4inch以下
8,800
RO-317CCP - CVD装置
 【技術代行専用】
(アユミ工業)*
n型アモルファスシリコン膜の成膜
対応wafer:4inch以下
8,800
RO-318リモートPECVD装置
 【技術代行専用】
(アユミ工業)*
SiO2,SiNx膜等の絶縁膜の成膜
対応wafer:4inch以下
11,000
RO-321スパッタ装置
(エイコー,Al用)(エイコー)*
超高真空仕様,Al以外にTi, TiNのスパッタが可能, DCマグネトロン(Ar, N2
対応wafer:2inch、cut wafer
3,850
RO-322スパッタ装置
(エイコー,汎用)(エイコー)*
各種材料スパッタ用(3インチターゲット交換により広範な材料に対応)スパッタガス(Ar・O2・N2
対応wafer:2inch、cut wafer
3,850
RO-323スパッタ装置
(エイコー,Cu用)(エイコー)*
Cu成膜用,DCマグネトロン(Ar, H2
対応wafer:2inch
3,850
RO-324多元スパッタ装置
(アネルバ,E-200S)*
Ti,Ni,Nb,TiNのスパッタが可能,(スパッタガス:Ar,O2,N2)
対応wafer:2inch、cut wafer
6,600
RO-331真空蒸着装置
(アルパック,)*
抵抗加熱型の蒸着装置。2種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。
対応wafer:2inch以下
2,200
RO-411エッチング装置
(神戸製鋼,RIE SiO2用)*
SiO2エッチング用,CF4, H2使用可能,
対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
2,860
RO-412汎用プラズマ処理装置
(神戸製鋼,RIE )*
プラズマ暴露試験用,SF6使用可能,
対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
2,200
RO-413エッチング装置
(住友精密工業,Si深掘用,MUC-21)*
Bosch Processを用いたシリコン深掘エッチング装置, C4F8, SF6, O2, Ar使用可能
対応wafer:4inch以下
8,800
RO-414エッチング装置
(YOUTEC,ICP Al用,12-228PH)*
Alエッチング用, Cl2, BCl3, N2使用可能
対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
2,860
RO-415エッチング装置
(神戸製鋼,CDE SiN用)*
ケミカルドライエッチング装置, ポリシリコン,窒化シリコンエッチング用,CF4, O2, N2使用可能
対応wafer:2,3inch、cut wafer
2,860
RO-416エッチング装置
(神戸製鋼,Ashing用)*
レジストアッシング用,O2, N2使用可能 レジストアッシング用,対応wafer:2inch、cut wafer2,860
RO-417エッチング装置
(YOUTEC,ICP poly-Siゲート用,12-228PH)*
Siエッチング用, Cl2, O2, N2, HBr使用可能
対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
2,860
RO-418エッチング装置
(エイコー,汎用,VX-20S)*
各種材料エッチング用,CF4, O2, N2使用可能
対応wafer:2inch、cut wafer
5,500
RO-511プローバ
(日本マイクロニクス C-51)
解析・評価を行うためのマニュアルプローバ2,860
RO-512半導体パラメータアナライザ
( アジレント HP4156他 )
トランジスタ特性測定,電源3ユニット,最小測定電流0.1pA3,300
RO-513LCRメータ
( アジレント HP4284 )
周波数 20Hz〜1MHz   16048B2,200
RO-514インピーダンスアナライザ
( アジレント HP4294 )
周波数 40Hz〜110MHz 16048H2,200
RO-515ホール効果測定装置
(ACCENT,HL5500PC)*
試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可,
クリーンルーム内に設置
3,300
RO-521走査電子顕微鏡:SEM
(日立,S-4700)*
冷陰極電界放出型電子銃、最高分解能1.5nm,
クリーンルーム内に設置
2,200
RO-522EBSD解析装置
 【技術代行専用】
(日本電子JSM-7100F)*
EBSD測定により試料結晶面方位、結晶粒マッピング等の結晶構造解析を行う。
クリーンルーム内に設置
11,000
RO-523二次イオン質量分析装置:SIMS
(アルバックファイ,SIMS6650)
Cs,Oガン装備四重極型質量分析機、
一次イオン最小加速エネルギー1keV
7,700
RO-524蛍光X線分析装置(XRF)
(リガク,ZSX-400)*
波長分散型XRF  金属などの組成分析
対応wafer:〜12inch以下,
クリーンルーム内に設置
3,300
RO-525X線光電子分光装置(XPS)
(クレイトスアナリティカル,ESCA-3400)*
X線源:Mg Kα, クリーンルーム内に設置,
電子結合エネルギー走査範囲:1150 〜 -10 eV
5,500
RO-526薄膜構造評価X線回析装置(XRD) (リガク,ATX-E)角度分解能 0.0002度(2θ)2,200
RO-531分光エリプソメーター
(J.A. Woollam Japan,M2000-D)*
測定可能最小膜厚10nm,
分光波長範囲193〜1000nm,
クリーンルーム内に設置
2,200
RO-532干渉式膜厚計
(ナノメトリクス ジャパン,AFT 5000)*
可視光及び紫外光光源,
多層膜対応解析ソフト搭載。
クリーンルーム内に設置
1,100
RO-533原子間力顕微鏡:AFM
(セイコーインスツルメンツ,SPI3800)*
分解能:z:0.01nm, X、Y:0.1nm, 視野:最小5nm角、最大 20μm角、
クリーンルーム内に設置
2,200
RO-534表面段差計
(BRUKER, Dektak XT-E)*
垂直範囲:10nm〜1mm,
垂直解像度:最高0.1nm,クリーンルーム内に設置
2,200
RO-601ダイサー
(DISCO, DAD322)
Si, SiO2, SiCウェハ等のダイシング
対応Wafer:6inch以下
3,300
RO-602PDMS加工装置
(魁・THINKEYほか)
ポリジメチルシロキサン(PDMS)加工用の塗布装置、真空撹拌脱泡装置、オーブン等の装置群3,300
RO-6033Dプリンタ
( XYZ ダヴィンチCOLOR )
熱溶解積層(Fused Filament Fabrication:FFF)方式4,400
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