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ナノテクノロジープラットフォーム 平成30年度 学生研修プログラム
広島大学募集テーマ:CMOSトランジスタ・IC作製実習

ナノテクノロジープラットフォームの事業として、学生研修プログラム(全39テーマ)の参加者を募集しています。 http://nanonet.mext.go.jp/gakusei/h30/

その中で当研究所では、「CMOSトランジスタ・IC作製実習」を、下記のとおり開催いたします。
■期 間: 2018年8月20日(月)〜25日(土)6日間
■場 所: 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/
内容:NMOS,PMOSトランジスタを用いたCMOS-ICの試作実習を通じて、
プロセス基礎技術とトランジスタ・回路の基本技術全体を学びます。
イオン注入、酸化、リソグラフィー、エッチングなど基本技術を学びます。
作製する回路は、CMOSインバータを基本とするリングオシレータ、SRAMなど。
時間短縮のためN-ウェル形成までは研修前に準備します。
受講生は主にトランジスタ回路設計及びデバイス作製途中のパターン観察と
完成後の特性評価を行います。半導体製造装置によるデバイス作製は
主にスタッフが行います(受講生は簡単な作業と操作を見ながら講義を受けます)。
最小加工寸法は、マスクレス露光を用いた3ミクロンとします。

関心をお持ちの方々の参加を歓迎致します。
パンフレットはこちら(pdf形式)

■参加費:無料、 旅費&宿泊費:支給
■お申し込み先:Web: http://nanonet.mext.go.jp/gakusei/h30/
■応募締切 :2018年5月31日(木)


■報告書:所定の様式にて報告書を提出していただきます。
■成果発表会:
 日時:平成30年9月28日(金)
 場所:東京大学 浅野キャンパス 武田先端知ビル5F 武田ホール

■お問合せ:(担当: 田部井 哲夫)
      広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
      Web: http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/(研究所)


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