2021年度ナノテクノロジープラットフォーム　支援一覧表

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課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-21-RO-0001R3,4/1〜R4,1/31（C）技術代行筑波大学不純物をドーピングしたフェリ磁性体Mn4N膜の組成分析
F-21-RO-0002R3,4/1〜R3,12/31（C）技術代行広島大学チタンメンブレン粘膜表面側へのコラーゲンコーテイング方法の確立
F-21-RO-0003R3,4/20〜R4,1/31（C）技術代行広島大学電気化学的な金薄膜への銅の拡散現象の解析
F-21-RO-0005R3,4/1〜R3,9/30（A）共同研究九州大学ナノピクセルとハイメサ導波路によるセンシング光集積回路
F-21-RO-0006R3,4/1〜R4,2/28（C）技術代行東北学院大学強誘電体Hf1-��Zr��O2の融合による多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化
F-21-RO-0007R3,4/28〜R4,2/25（A）共同研究京都工芸繊維大学MeVイオンビームによる単結晶SiO2の表面形態変化
F-21-RO-0008R3,4/12〜R4,2/25（C）技術代行量子科学技術研究開発機構SiCウェハのダイシング
F-21-RO-0009R3,4/1〜R4,2/25（C）技術代行島根大学PECVD膜への単結晶薄膜トランジスタ形成
F-21-RO-0010R3,4/1〜R3,9/30（C）技術代行広島大学太陽電池の製作
F-21-RO-0011R3,5/6〜R4,2/25（C）技術代行京都工芸繊維大学イオン照射によるプラスティック上導電性DLC 形成技術の研究
F-21-RO-0013R3,5/6〜R4,2/25（C）技術代行九州工業大学ダイヤモンド薄膜への高濃度色中心の作製に関する研究
F-21-RO-0015R3,5/12〜R4,2/25（C）技術代行大阪産業技術研究所非晶質合金膜中に含有された希ガス原子の存在状態の解明
F-21-RO-0018R3,6/1〜R4,2/28（C）技術代行高知工科大学SiC結晶中に生成された欠陥分布の測定
F-21-RO-0019R3,6/1〜R4,2/28（C）技術代行東北学院大学多結晶シリコンゲルマニウム薄膜トランジスタのゲルマニウム濃度依存性の解明
F-21-RO-0020R3,6/1〜R4,2/28（C）技術代行東北学院大学High-kゲート絶縁膜を利用した４T CLC poly-Si TFTのCMOS展開
F-21-RO-0021R3,7/17〜R3,7/17（C）技術代行広島大学付属高校太陽電池の製作
F-21-RO-0022R3,7/26〜R3,7/31（C）技術代行静岡大学CMOS R-S Flip-Flop回路
F-21-RO-0023R3,6/28〜R4,1/31（C）技術代行筑波大学RFスパッタ法で堆積したZnGe膜の組成分析
F-21-RO-0025R3,7/1〜R4,2/25（B）機器利用広島大学低エネルギー化を指向したセレン化銅系薄膜の作製と熱電特性
F-21-RO-0026R3,6/10〜R4,2/28（B）機器利用広島大学細菌が合成した化合物半導体結晶のキャラクタリゼーション
F-21-RO-0027R3,7/26〜R3,7/31（C）技術代行北陸先端科学技術大学院大学Ring Oscillator（17段）回路の作製と特性
F-21-RO-0028R3,7/26〜R3,7/31（C）技術代行静岡大学C-MOS Co-Doped Transistor and PN Diode 回路の試作と評価
F-21-RO-0029R3,7/1〜R4,2/28（C）技術代行東北学院大学二次元原子層物質MoS2薄膜トランジスタの開発
F-21-RO-0030R3,7/1〜R4,1/31（C）技術代行筑波大学電流駆動磁壁移動に向けたCoドープMn4N膜の組成分析
F-21-RO-0031R3,7/1〜R4,1/31（A）共同研究京都工芸繊維大学ナノ構造を用いた環境センサーの研究
F-21-RO-0032R3,8/1〜R4,2/25（C）技術代行名古屋工業大学SiCへのチャネリングイオン注入
F-21-RO-0033R3,7/21〜R4,2/25（C）技術代行高知工科大学水素添加酸化インジウム薄膜の水素濃度評価
F-21-RO-0034R3,7/19〜R3,12/31（C）技術代行筑波大学CoV2O4薄膜の組成比分析
F-21-RO-0035R3,8/16〜R3,12/25（C）技術代行山陽小野田市立山口東京理科大学多孔体高分子表面に集積した合金ナノ粒子の構造解析
F-21-RO-0036R3,9/1〜R3,2/25（B）機器利用広島大学金属グレーティングを具備したテラヘルツ波光伝導アンテナの開発
F-21-RO-0037R3,8/16〜R3,9/30（C）技術代行広島大学電子線露光によるライン＆スペースパターンの作製
F-21-RO-0038R3,9/9〜R3,12/25（C）技術代行名古屋大学カーボン薄膜の組成分析
F-21-RO-0039R3,9/1〜R4,1/28（A）共同研究�螢侫�ルネックス電子デバイス薄膜の異種材料接合技術の研究
F-21-RO-0040R3,9/1〜R4,1/28<（C）技術代行ローム��ポーラス膜の相対密度評価
F-21-RO-0042R3,9/9〜R4,1/28（A）共同研究九州大学総合理工学府スピンデバイス開発に向けた横型スピンバルブ素子の作製
F-21-RO-0043R3,9/9〜R3,12/31（C）技術代行広島大学絶縁膜の信頼性評価用パターン作製
F-21-RO-0045R3,10/1〜R3,12/31（C）技術代行筑波大学同時スパッタ法により形成した薄膜太陽電池材料の組成比評価
F-21-RO-0046R3,10/13〜R4,1/28（C）技術代行九州工業大学３次元パワーSoC実現に向けてのプロセス技術の開発
F-21-RO-0047R3,10/22〜R3,12/17（C）技術代行名古屋大学アモルファスカーボンの高品質化に関する研究
F-21-RO-0048R3,10/27〜R4,1/28（C）技術代行久留米工業高等専門学校OFETの試作
F-21-RO-0049R3,11/10〜R4,1/28（C）技術代行広島大学低温成長GaAs系半導体の結晶性と電気的特性の評価
F-21-RO-0050R3,11/10〜R4,1/28（B）機器利用広島大学InAs(Bi)量子ドットの表面形状の観察
F-21-RO-0051R3,11/10〜R4,1/28<（C）技術代行広島大学酸化ニッケル電極での電池反応の調査
F-21-RO-0052R3,11/17〜R4,1/28（C）技術代行量子科学技術研究開発機構2次元薄膜窒化ホウ素へのイオン注入法による室温スピン操作可能な新規スピン欠陥の創製
F-21-RO-0053R3,11/19〜R4,1/28（A）共同研究東京医科歯科大学Siナノワイヤバイオセンサーの作製
F-21-RO-0055R3,12/1〜R4,1/28（C）技術代行九州工業大学MEMS技術を用いた機能性表面の創製
F-21-RO-0056R3,12/1〜R4,1/28（C）技術代行京都大学ｐ型シリコンへのリンの拡散およびボロンのイオン注入