2020年度ナノテクノロジープラットフォーム　支援一覧表

※課題番号をクリックすると報告書を閲覧できます。(pdf形式)
課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-20-RO-0001R2,4/1〜R3,3/31（C）技術代行東北学院大学RTAを用いた強誘電体HfZrOxの形成と評価
F-20-RO-0004R2,4/1〜R3,3/31（C）技術代行広島大学酸化ニッケル膜で起こるフォトクロミズム現象の分析
F-20-RO-0006R2,4/1〜R3,3/31（C）技術代行京都大学ｐ型シリコンへのリンの拡散およびボロンのイオン注入
F-20-RO-0007R2,4/1〜R3,3/31（C）技術代行三菱ケミカル��ラザフォード後方散乱測定装置を用いたSi系蒸着膜の組成分析
F-20-RO-0008R2,5/1〜R3,2/26（C）技術代行コニカミノルタ��圧電MEMSによる超音波トランスデューサの研究
F-20-RO-0009R2,5/25〜R3,3/31（C）技術代行ローム��酸化チタンの元素分析
F-20-RO-0010R2,6/1〜R3,3/31（C）技術代行京都工芸繊維大学イオン照射によるプラスティック上導電性DLC形成技術の研究
F-20-RO-0011R2,6/1〜R3,3/31（C）技術代行京都工芸繊維大学イオン照射によりプラスティック上に形成されるDLC層の構造解析
F-20-RO-0012R2,6/1〜R3,3/31（C）技術代行京都工芸繊維大学イオン照射によるプラスティック上でのDLC層形成メカニズムの解明
F-20-RO-0013R2,6/3〜R3,2/28（C）技術代行ローム��YSZの元素分析
F-20-RO-0014R2,9/1〜R3,2/28（C）技術代行東北大学絶縁膜の信頼性評価用パターン作製
F-20-RO-0015R2,7/1〜R2,12/31（C）技術代行住友重機械工業��SiCのオーミック接触形成
F-20-RO-0017R2,6/10〜R2,9/30（C）技術代行広島大学電子線露光によるライン＆スペースパターンの作製
F-20-RO-0020R2,7/1〜R3,2/26（A）共同研究�螢侫�ルネックス厚膜レジストのリソグラフィーテスト
F-20-RO-0021R2,6/17〜R3,3/31（C）技術代行広島大学低温成長GaAs系半導体の点欠陥評価
F-20-RO-0023R2,6/17〜R2,10/6（E）技術補助静岡大学C-MOS SRAM回路の設計と性能評価
F-20-RO-0024R2,6/19〜R2,10/6（E）技術補助静岡大学MOSFETS,CMOS Inverter & Junkctionless Transistors
F-20-RO-0025R2,7/1〜R3,3/31（A）共同研究京都工芸繊維大学高速軽イオンビームによるSiO2の表面改質と発光分光
F-20-RO-0026R2,6/26〜R2,12/31（C）技術代行住友重機械工業��SiCのオーミック接触評価
F-20-RO-0027R2,7/1〜R3,3/31（C）技術代行東北学院大学n-chダブルゲートpoly-Ge TFTの開発
F-20-RO-0028R2,8/3〜R3,2/28（A）共同研究広島大学中性子センサの研究
F-20-RO-0029R2,8/1〜R2,12/31（C）技術代行筑波大学薄膜太陽電池応用に向けたスパッタ法で作製したBaSi2膜の組成分析
F-20-RO-0030R2,8/5〜R3,2/28（C）技術代行量子科学技術研究開発機構2次元薄膜窒化ホウ素へのイオン注入法による室温スピン操作可能な新規スピン欠陥の創製
F-20-RO-0031R2,8/5〜R3,2/28（C）技術代行島根大学スパッタプロセスによるSi薄膜トランジスタ
F-20-RO-0032R2,8/5〜R2,12/30（C）技術代行広島大学電子線露光によるラインパターンの作製（2方向パターン）
F-20-RO-0036R2,8/3〜R3,2/28（B）機器利用広島大学金属グレーティングによるテラヘルツ波光伝導アンテナの性能向上
F-20-RO-0039R2,9/28〜R3,3/31（C）技術代行早稲田大学Fe電析膜の膜密度測定
F-20-RO-0041R2,9/28〜R3,3/31（A）共同研究広島大学蛍光体の照射
F-20-RO-0042R2,10/7〜R3,2/26（C）技術代行静岡大学大面積プラズモニック基板の作製
F-20-RO-0043R2,10/1〜R3,2/26（C）技術代行高知工科大学SiC 結晶中に生成された欠陥分布の測定
F-20-RO-0044R2,10/1〜R3,3/31（C）技術代行東北学院大学High-kの導入により高性能化した４端子CLC poly-Si TFTのEE、EDインバータ応用
F-20-RO-0045R2,11/28〜R2,11/28（C）技術代行広島大学付属高校太陽電池の製作と基礎実験
F-20-RO-0047R2,10/19〜R3,2/28（C）技術代行島根大学PECVD膜をチャネル層に用いた単結晶帯Si薄膜トランジスタ
F-20-RO-0048R2,10/28〜R3,2/28<（C）技術代行岡山大学金属ナノ粒子の形成を目指した、脂質膜を反応場とする化学還元法の開発
F-20-RO-0049R2,11/12〜R3,2/28（C）技術代行広島大学InAs系積層量子構造の構造解析
F-20-RO-0051R2,11/30〜R3,2/28（B）機器利用広島大学細菌による重金属イオンの回収およびその副産物の構造解析・組成分析
F-20-RO-0052R2,12/2〜R3,2/26（C）技術代行量子科学技術研究開発機構SiCチップのダイシング
F-20-RO-0053R2,12/16〜R3,3/31（C）技術代行筑波大学薄膜太陽電池作製に向けた無アルカリガラス基板上におけるBaSi2膜の組成分析
F-20-RO-0054R2,12/16〜R3,2/26（B）機器利用広島大学シリコンナノ電子デバイスの作製
F-20-RO-0055R2,12/21〜R3,2/26（B）機器利用広島大学細菌が合成した化合物半導体結晶のキャラクタリゼーション
F-20-RO-0056R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学Investigate the characteristic of crystalline silicon film induced by micro thermal plasma jet
F-20-RO-0057R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学ゲルマニウム薄膜の電気特性に関する研究
F-20-RO-0058R3,1/20〜R3,3/31<（B）機器利用広島大学大気圧熱プラズマジェットアニールを用いた4H-SiC MOSFET作製技術の研究
F-20-RO-0059R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学メニスカスカを用いた薄膜転写プロセス開発に関する研究
F-20-RO-0060R2,10/27〜R3,3/31（B）機器利用東京医科歯科大学ナノワイヤバイオセンサーの作製
F-20-RO-0061R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学Siの異方性エッチングを用いた100ミクロンスケールの微小孔の作製
F-20-RO-0062R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたSi-nMOSFET動作時の温度変化の測定
F-20-RO-0063R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学a-Si:H薄膜を用いた脈波センサーに関する研究
F-20-RO-0064R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学プラズマCVDによるアモルファスシリコン堆積時の瞬間加熱に関する研究
F-20-RO-0065R3,2/1〜R3,3/31（C）技術代行奈良先端科学技術大学連続発振レーザ結晶化法による非晶質基板上への多結晶シリコン薄膜形成
F-20-RO-0066R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学ボトムゲート型TFT作製プロセスにおけるソース・ドレインとゲート間のオフセット制御に関する研究
F-20-RO-0067R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた微量SiドープGe膜の結晶化に関する研究
F-20-RO-0068R3,1/20〜R3,3/31（B）機器利用広島大学SOI層を用いたイオン感応性電界効果トランジスタの作製
プリンタ用画面
友達に伝える
この記事の1行目に飛ぶ