2019年度ナノテクノロジープラットフォーム　支援一覧表

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課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-19-RO-0001H31,4/8〜R1,8/31（B）機器利用�螢轡淵検璽謄�ニカArガスを用いたプラズマエッチング量の調査
F-19-RO-0002H31,4/1〜R2,3/31（C）技術代行三菱ケミカル��ラザフォード後方散乱測定装置を用いた無機系の蒸着膜の組成分析
F-19-RO-0003R1,5/1〜R2,1/31（C）技術代行東北学院大学ダブルゲート・ジャンクションレスn-ch多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタの開発
F-19-RO-0004H31,4/1〜R2,3/31（C）技術代行東北学院大学負性容量４端子poly-Si TFTの開発
F-19-RO-0008H31,4/8〜R2,3/31（A）共同研究広島大学分子性金属酸化物をコートしたSiO2薄膜の電気化学特性の評価および製造プロセスの検討
F-19-RO-0009H31,4/12〜R1,9/30（C）技術代行広島大学太陽電池の製作
F-19-RO-0010R1,7/1〜R1,9/30（C）技術代行広島大学附属高等学校太陽電池の製作と基礎実験
F-19-RO-0011R1,5/7〜R2,2/28（B）機器利用�螢侫�ルネックス半導体薄膜接合技術の応用研究
F-19-RO-0012H31,4/11〜R2,3/31（B）機器利用広島大学金属ナノパターンによる光波制御
F-19-RO-0013H31,4/15〜R2,3/31（C）技術代行久留米工業高専有機トランジスタの試作
F-19-RO-0014R1,5/20〜R2,3/31（A）共同研究京都工芸繊維大学金属ナノ粒子標的に対するスパッタリング収率の入射イオンエネルギー依存性
F-19-RO-0015R1,5/15〜R2,3/31（C）技術代行京都大学ｐ型シリコンへのリンの拡散およびボロンのイオン注入
F-18-RO-0016R1,5/16〜R2,3/31（B）機器利用広島大学微生物を分離培養する新規なデバイスの開発
F-19-RO-0018R1,6/12〜R2,3/31（C）技術代行広島大学低温成長 GaAs 系混晶半導体の熱処理前後の評価
F-19-RO-0019R1,6/3〜R1,6/7（E）技術補助Hanoi National University of EducationMulti-Peak Metamaterial Perfect Absorber with Connected Square Rings
F-19-RO-0020R1,6/5〜R2,3/31（B）機器利用広島大学低温成長GaAs系混晶半導体の表面形状の観察
F-19-RO-0021R1,6/12〜R2,3/31（C）技術代行名古屋大学GeコアSi量子ドット発光デバイスの開発
F-19-RO-0022R1,6/13〜R2,2/28（A）共同研究広島国際大学電子顕微鏡による含水サンプルの観察のためのDLC薄膜の開発
F-19-RO-0023R1,6/19〜R2,3/31（C）技術代行広島大学低温で成長した数原子層 As 系化合物半導体の組成解析
F-19-RO-0024R1,7/22〜R2,3/31（C）技術代行九州大学総合理工学府スピンデバイス開発に向けた横型スピンバルブ素子の作製
F-19-RO-0027R1,7/25〜R2,3/31（B）機器利用広島大学低温成長GaAs系混晶半導体の導電性制御
F-19-RO-0029R1,7/16〜R2,3/31（B）機器利用広島大学フォトクロミック金属酸化物の蓄電性能の確認
F-19-RO-0030R1,7/17〜R2,3/31（E）技術補助広島大学ビチオフェンジオン系ポリマーにおける構造異性体が電荷輸送特性に与える影響
F-19-RO-0032R1,7/26〜R2,3/31（C）技術代行広島大学非加熱プロセスでの酸化ニッケル膜の作製
F-19-RO-0034R1,8/19〜R1,8/24（C）技術代行大島商船高専ＣＭＯＳ ＮＡＮＤ回路による半加算器
F-19-RO-0037R1,8/19〜R1,8/24（B）機器利用��SUMCOＣＭＯＳ 論理回路
F-19-RO-0038R1,10/2〜R2,3/31（C）技術代行静岡大学大面積プラズモニック基板の作製
F-19-RO-0039R1,11/13〜R2,1/31（C）技術代行筑波大学スパッタ法により形成した薄膜太陽電池材料の組成比制御
F-19-RO-0040R1,10/16〜R2,1/31（C）技術代行東京医科歯科大学ナノワイヤバイオセンサーの作製
F-19-RO-0042R1,12/1〜R2,3/31（C）技術代行九州工業大学ダイヤモンド薄膜の色中心に関する研究
F-19-RO-0043R1,10/2〜R2,3/20（C）技術代行東北学院大学SIMS分析によるGeのCu金属誘起固相成長のメカニズムの解明
F-19-RO-0044R1,10/9〜R2,2/28（C）技術代行静岡大学高空間分解能イオンセンサーの開発
F-19-RO-0045R1,12/1〜R2,3/31（C）技術代行京都工芸繊維大学イオン照射によるプラスティック上導電性DLC形成技術の研究
F-19-RO-0048R2,1/6〜R2,3/31（B）機器利用広島大学セレン化銅薄膜の熱電特性
F-19-RO-0049R2,1/6〜R2,3/31（B）機器利用広島大学硫化銅系薄膜の熱電特性
F-19-RO-0050R2,1/13〜R2,3/31（C）技術代行島根大学ガラス基板上単結晶Si薄膜トランジスタの試作
F-19-RO-0051R1,12/18〜R2,2/29<（E）技術補助広島大学分子性金属酸化物を用いたキャパシタ型デバイスの開発および特性評価
F-19-RO-0052R2,1/16〜R2,3/31（C）技術代行岡山大学金属ナノ粒子の形成を目指した、脂質膜を反応場とする化学還元法の開発
F-19-RO-0053R2,1/22〜R2,3/31（A）共同研究大阪大学透明基板上GeSn発光・受光素子の開発
F-19-RO-0054R2,1/29〜R2,3/31（B）機器利用広島大学細菌による重金属イオン回収およびその副産物のキャラクタリゼーション
F-19-RO-0055R2,2/1〜R2,3/31（C）技術代行東北学院大学RTAによる強誘電体HfZrOxの形成
F-19-RO-0056R2,2/5〜R2,3/31（C）技術代行量子科学技術研究開発機構イオン注入による炭化ケイ素への単一光子源の生成
F-19-RO-0057R2,1/8〜R2,1/10（B）機器利用北陸先端科学技術大学院大学MEMSプロセスの技術面，教養面の支援
F-19-RO-0058R1,10/1〜R2,3/31（B）機器利用広島大学薄膜評価用チップの作製を目的とした電子線描画装置の検討
F-19-RO-0059R1,10/1〜R2,3/31（B）機器利用広島大学アレイ化光リング共振器チップの光学特性評価