平成30年度ナノテクノロジープラットフォーム 支援一覧表

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課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-18-RO-0001H30,4/20〜H30,9/20(B)機器利用大島商船高等専門学校溶射膜の高信頼化記述に関する研究
F-18-RO-0002H30,4/10〜H30,9/30(C)技術代行島根大学単結晶粒Si/Ge 薄膜トランジスタの作製
F-18-RO-0003H30,11/1〜H31,3/31(B)機器利用名古屋大学GEコアSi量子ドット発光デバイスの開発
F-18-RO-0005(C)技術代行公開猶予中
F-18-RO-0006H30,4/1〜H31,3/31(C)技術代行ローム株式会社酸化膜の深さ方向組成分析
F-18-RO-0007H30,4/16〜H31,3/31(C)技術代行広島大学フォトクロミック金属酸化物の作製とその特性評価
F-18-RO-0008H30,5/1〜H30,7/31(B)機器利用広島大学金属ナノ粒子を用いたペロブスカイト太陽電池の高効率化
F-18-RO-0009H30,4/25〜H31,3/31(C)技術代行広島大学金属テストパターンによる高空間分解能光電子分光装置の分解能評価
F-18-RO-0010H30,5/1〜H31,3/31(B)機器利用広島大学有機電解効果トランジスタを指向した半導体ポリマー開発
F-18-RO-0011H30,5/21〜H31,3/31(A)共同研究京都工芸繊維大学イオン衝撃による金属ナノ粒子のスパッタリング
F-18-RO-0012(B)機器利用公開猶予中
F-18-RO-0013H30,5/15〜H31,3/31(C)技術代行東北学院大学High-kを利用した4端子連続発振レーザラテラル結晶化低温poly-Si TFT CMOSインバータの開発
F-18-RO-0014H30,5/1〜H31,3/31(B)機器利用広島大学微生物を分離培養する新規なデバイスの開発
F-18-RO-0015H30,5/22〜H31,3/31(B)機器利用広島大学凝集鉱物の不純物濃度の制御
F-18-RO-0016H30,5/23〜H31,3/31(B)機器利用広島大学不純物をイオン注入した InGaAs の不純物濃度の評価
F-18-RO-0017H30,7/10〜H31,3/31(B)機器利用九州大学総合理工学府スピントランジスタ開発に向けた横型スピンバルブ素子によるスピン拡散長の調査
F-18-RO-0018H30,6/14〜H31,3/31(B)機器利用矢崎総業蟲蚕儻Φ羹イオン注入した半導体基板の結晶欠陥制御
F-18-RO-0020H30,6/18〜H31,3/31(B)機器利用広島大学低温成長InGaAsの局在準位の評価
F-18-RO-0021H30,7/23〜H30,9/30(C)技術代行筑波大学格子歪によるコバルトフェライト薄膜の磁気異方性の制御
F-18-RO-0022H30,5/7〜H31,2/28(A)共同研究螢侫ルネックス半導体薄膜発光素子接合技術の研究
F-18-RO-0023H30,8/1〜H31,3/31(B)機器利用広島大学メニスカスカを用いたSOI膜のフレキシブル基盤上への局所転写プロセスの構築
F-18-RO-0024H30,8/29〜H31,3/31(B)機器利用広島大学細菌が合成した半導体の結晶性評価
F-18-RO-0025H30,8/29〜H31,3/31(B)機器利用広島大学大気圧熱プラズマジェット照射による表面反応の制御
F-18-RO-0026H30,9/3〜H31,3/31(C)技術代行京都大学p型シリコンへのリンの拡散
F-18-RO-0027H30,9/21〜H31,3/31(C)技術代行三菱ケミカルラザフォード後方錯乱測定装置を用いたDLC並びに無機系の蒸着膜の組成分析
F-18-RO-0028H30,10/26〜H31,3/31(C)技術代行広島大学シリコンカーバイド(SiC)・デバイスにおけるイオン注入制御
F-18-RO-0029H30,10/29〜H31,3/31(C)技術代行東京医科歯科大学ナノワイヤバイオセンサーの作製
F-18-RO-0030H30,10/9〜H31,3/31(A)共同研究兵庫県立大学電界効果型マイクロウォール太陽電池の構造・プロセス検討と基板加工
F-18-RO-0031H30,10/9〜H31,3/31(A)共同研究兵庫県立大学デバイス応用に向けて成膜したLPCVD-SiO2の性能評価
F-18-RO-0032H30,10/9〜H31,3/31(A)共同研究兵庫県立大学電界効果型マイクロウォール太陽電池の作製
F-18-RO-0033H30,11/15〜H31,3/31(C)技術代行京都大学p型シリコンへのリンの拡散およびボロンのイオン注入
F-18-RO-0034H30,11/15〜H31,3/31(C)技術代行広島大学低温成長 GaAs 系混晶半導体の熱処理前後の結晶性評価
F-18-RO-0035H30,11/13〜H31,3/31(C)技術代行広島大学低温成長 GaAs 系混晶半導体の表面形状の観察
F-18-RO-0036H30,11/26〜H31,3/31(C)技術代行静岡大学電子線検出型イオン分布イメージング用イオンセンサーの開発
F-18-RO-0037H30,12/5〜H31,3/31(B)機器利用広島大学金属ナノパターンによる光波制御
F-18-RO-0038H30,11/30〜H31,3/31(B)機器利用広島大学単結晶シリコン薄膜を用いた繰り返し転写技術の確立とデバイス応用
F-18-RO-0039H30,12/5〜H31,3/31(B)機器利用広島大学ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作
F-18-RO-0040H30,12/5〜H31,3/31(B)機器利用広島大学SiC-MOSトランジスタのセルフアラインプロセス開発
F-18-RO-0041H30,12/5〜H31,3/31(B)機器利用広島大学大気圧熱プラズマジェットによる4H-SiCウェハ中不純物の高速活性化とデバイス作製プロセスへの応用
F-18-RO-0042H30,12/5〜H31,3/31(B)機器利用広島大学シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する研究
F-18-RO-0043H30,12/19〜H31,3/31(A)共同研究九州工業大学3次元パワーSoC実現に向けてのプロセス技術の開発
F-18-RO-0044H30,12/25〜H31,3/31(C)技術代行岡山大学金属ナノ粒子の形成を目指した脂質膜を反応場とする化学還元法の開発
F-18-RO-0046H30,12/25〜H31,3/31(C)技術代行岡山大学金属担持触媒の劣化特性と金属物性の関係の評価
F-18-RO-0047H30,7/9〜H31,3/31(B)機器利用広島大学バイオセンサー用酸化チタン光導波路の形成
F-18-RO-0048H30,7/9〜H31,3/31(B)機器利用広島大学光バイオセンサー用途マイクロバルブの作製条件探索
F-18-RO-0049H31,1/21〜H31,3/31(C)技術代行静岡大学大面積プラズモニック基板の作製
F-18-RO-0050(C)技術代行公開猶予中
F-18-RO-0051H31,1/15〜 H31,3/31(C)技術代行久留米高専有機トランジスタの試作
F-18-RO-0052(C)技術代行公開猶予中
F-18-RO-0053H31,2/13〜H31,3/31(B)機器利用広島大学金属酸化物薄膜の形成と評価
F-18-RO-0054H31,1/5〜H31,3/31(A)共同研究兵庫県立大学DNA Si-MOSFETの作製
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