平成29年度ナノテクノロジープラットフォーム 支援一覧表

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課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-17-RO-0002H29,4.20〜H30,3/31(B)機器利用広島大学凝集鉱物の熱処理前後の構造評価
F-17-RO-0003H29,5/11〜H29,6/29(A)共同研究筑波大学SiN一次元フォトニック結晶導波路と分子鋳型ポリマーの融合による新規バイオセンサの開発
F-17-RO-0004H29,5/11〜H30,1/31(C)技術代行ローム酸化膜の深さ方向組成分析
F-17-RO-0005H29,6/1〜H29,9/30(C)技術代行東京医科歯科大学電子線励起イオンセンサデバイスの製作
F-17-RO-0006H29,6/19〜H30,1/31(B)機器利用広島大学微生物を分離培養する新規なデバイスの開発
F-17-RO-0007H29,6/2〜H29,6/30(B)機器利用広島大学低温成長鍬溝家焼蛎里寮長とその電気的特性の評価
F-17-RO-0008H29,7/1〜H30,1/31(B)機器利用広島大学X線回折法による低温成長鍬溝家焼蛎里侶訃銃發侶膣拮床
F-17-RO-0009H29,7/1〜H30,2/10(B)機器利用広島大学ホール効果測定装置による低温成長鍬溝家焼蛎里離ャリア密度温度依存性の測定
F-17-RO-0010H29,6/27〜H30,2/28(A)共同研究京都工芸繊維大学高速イオンビームによるガラスの表面改質
F-17-RO-0011H29,7/12〜H29,9/26(B)機器利用兵庫県立大学シリコンエッチングプロセス再現性向上のためのシリコン基板表面形態の観察
F-17-RO-0012H29,7/3〜H30,1/10(A)共同研究兵庫県立大学イオン注入による縦型n-i-p層形成の検討
F-17-RO-0013H29,7/3〜H30,1/10(A)共同研究兵庫県立大学電界効果型マイクロウォール太陽電池作製のためのsiドライエッチング
F-17-RO-0015H29,7/12〜H29,8/30(B)機器利用東北学院大学CLC poly-SiGe TFTの開発
F-17-RO-0016H29,7/24〜H29,11/31(E)技術補助広島大学Ag -TiO2ナノ粒子混合堆積膜の作製と光触媒活性の評価
F-17-RO-0017H29,8/31〜H29,10/3(B)機器利用筑波大学メタルアニール無SiCコンタクト抵抗低減実験
F-17-RO-0018H29,9/14〜H29,9/27(C)技術代行筑波大学エアホール導波路センサと分子鋳型ポリマーの融合による新規バイオセンサの開発
F-17-RO-0019H29,9/11〜H30,2/23(B)機器利用広島大学硫酸還元菌を用いた凝集鉱物の電気的特性の評価
F-17-RO-0020H29,9/14〜H30,2/19(B)機器利用広島大学硫酸還元菌を用いた凝集鉱物の構造評価による生成条件依存性の解明
F-17-RO-0021H29,9/14〜H30,2/5(B)機器利用九州大学横型スピンバルブ素子の作製
F-17-RO-0022H29,9/19〜H30,2/10(B)機器利用広島大学X線回折法による固相成長InxGa1-xAsの結晶性評価
F-17-RO-0023H29,11/1〜H30,2/20(B)機器利用島根大学多結晶シリコン薄膜トランジスタ作製のためのイオン注入
F-17-RO-0024H29,11/1〜H30,2/20(B)機器利用島根大学SI膜およびAI膜の堆積速度測定
F-17-RO-0026H29,10/1〜H30,1/10(C)技術代行筑波大学スパッタ法で形成した薄膜太陽電池材料の組成比制御
F-17-RO-0027H29,12/5〜H30,1/31(B)機器利用広島大学Nd:YVO4レーザーで表面処理したポリエーテルエーテルケトン(PEEK)の表面性状の解析
F-17-RO-0029H29,12/19〜H30,1/12(B)機器利用山口大学レーザー照射による太陽電池の特性改善技術の開発
F-17-RO-0030H29,11/22〜H30,1/31(B)機器利用広島大学低温成長GaAs系半導体混晶の導電性制御
F-17-RO-0031H29,12/18〜H30,1/31(B)機器利用広島大学高い伝導性を有する酸化亜鉛透明膜の合成
F-17-RO-0032H29,12/19〜H30,2/5(B)機器利用九州大学スピンバルブ素子創製のためのナノダイヤモンド膜の2次イオン質量分析
F-17-RO-0033H29,12/25〜H30,1/31(C)技術代行広島大学フォトクロミック粒子薄膜のラザフォード後方錯乱分光分析
F-17-RO-0034H30,1/22〜H30,2/26(A)共同研究兵庫県立大学SOIウエハの細線加工
F-17-RO-0035H30,1/22〜H30,2/26(A)共同研究兵庫県立大学DNAトランジスタのためのSi加工と低抵抗化
F-17-RO-0036H30,1/22〜H30,2/26(A)共同研究兵庫県立大学DNASi-MOSFETの作製
F-17-RO-0037H30,1/22〜H30,1/25(E)技術補助物質・材料研究機構Formation of SiN membrane on Si wafer by LPCVD
F-17-RO-0039H30,1/23〜H30,2/3(C)技術代行広島大学フォトクロミック粒子薄膜のX 線光電子分光分析
F-17-RO-0040H30,1/23〜H30,2/28(B)機器利用広島大学ハイパワー大気圧プラズマジェットを用いた急速熱処理によるSiCウェハ中の不純物の活性化率の向上
F-17-RO-0041H30,1/23〜H30,2/28(B)機器利用広島大学シリコンキャップアニールを用いたn型4H-SiCのオーミックコンタクト特性に対する昇温レートの影響
F-17-RO-0042H30,1/23〜H30,2/19(B)機器利用広島大学メニスカスカを用いたSOI膜の転写におけるフレキシブル基盤上での単結晶シリコンCMOS回路の作製プロセスの構築
F-17-RO-0043H30,1/23〜H30,2/19(B)機器利用広島大学中空構造SOI層の低温転写技術を用いたフローティングゲートメモリ作製プロセス技術に関する研究
F-17-RO-0044H30,1/23〜H30,1/31(B)機器利用広島大学ワイドギャップ半導体デバイス作製のためのドライエッチング加工
F-17-RO-0045H30,1/23〜H30,1/31(B)機器利用広島大学Si基盤とワイドギャップ半導体基板の貼り合わせ技術
F-17-RO-0046H30,1/23〜H30,1/31(B)機器利用広島大学ナノスケールチャネルを有するTFT作製のためのpoly-Si加工
F-17-RO-0047H30,1/23〜H30,3/31(B)機器利用広島大学不純物原子のイオン打ち込みによる化合物半導体の欠陥導入制御
F-17-RO-0048H30,1/29〜H30,2/28(C)技術代行埼玉大学超伝導ナノワイヤ光子数検出器を用いた蛍光相関分光システム
F-17-RO-0049H30,2/5〜H30,2/28(A)共同研究琉球大学幹細胞を大量に培養する基材の開発
F-17-RO-0052H30,2/5〜H30,2/28(C)技術代行三菱ケミカルラザフォード後方散乱測定装置を用いたDLC並びに無機系の蒸着膜の組成分析
F-17-RO-0053H30,2/5〜H30,3/20(B)機器利用広島大学シリコンリング光共振器回路の作製
F-17-RO-0054H30,2/5〜H30,3/20(B)機器利用広島大学光バイオセンサーにおける受光素子と信号増幅回路の集積化
F-17-RO-0055H30,2/9〜H30,3/31(B)機器利用広島大学単分子誘導電体を組み込んだ FET のプロトタイプ作製
F-17-RO-0058H29,5/10〜H30,3/31(A)共同研究螢侫ルネックス半導体薄膜の接合技術の研究
F-17-RO-0059H29,7/31〜H29,8/5(E)技術補助東京医科歯科大学CMOSトランジスタ・IC作製
F-17-RO-0066H30,1/11〜H30,2/28(B)機器利用山口大学流路付加バイオセンサーの作製・測定
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