平成２８年度ナノテクノロジープラットフォーム 支援一覧表
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| 課題番号 | 支援期間 | 支援形態 | 支援依頼機関 | 研究課題 |
|---|---|---|---|---|
| F-16-RO-0001 | H28,4/1〜H28,12/20 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | ガラス基板上の4端子低温 poly-Si TFT CMOSインバータの開発 |
| F-16-RO-0002 | H28,4/11〜H28,6/3 | （E）技術補助 | 広島大学 | 生体反射板ガイダンス溝の作成 |
| F-16-RO-0004 | H28,4/25〜H28,5/13 | （B）機器利用 | (株)日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム描画装置による先端露光プロセスの検討 |
| F-16-RO-0005 | H28,5/1〜H28,5/17 | （C）技術代行 | 九州工業大学 | ３次元パワーSoC(Supply on Chip)用積層基板構成技術の研究 |
| F-16-RO-0006 | H28,5/16〜H29,1/30 | （E）技術補助 | 広島大学 | 金属上での有機フレームワーク接触形成と小分子活性化還元電極への展開 |
| F-16-RO-0008 | H28,6/8〜H29,1/18 | （A）共同研究 | 京都工芸繊維大学 | イオンビーム誘起ナノ・ミクロン複合パターン形成による超撥水性ガラスの創製 |
| F-16-RO-0009 | H28,7/1〜H28,7/6 | （C）技術代行 | 関西大学 | 2 インチ シリコンウエハ上へのシリコン窒化膜の形成 |
| F-16-RO-0010 | H28,8/1〜H28,12/8 | （C）技術代行 | (株)九州セミコンダクターKAW | ：ＣＶＤ酸化膜のエッチング評価 |
| F-16-RO-0013 | H28,8/1〜H28,8/8 | （B）機器利用 | 広島大学 | 低温成長InxGa1-xAs の成長とその電気的特性の評価 |
| F-16-RO-0014 | H28,8/10〜H28,11/18 | （B）機器利用 | 広島大学 | 鉱物形成能を有する細菌のスクリーニング |
| F-16-RO-0015 | H28,8/10〜H29,2/6 | （B）機器利用 | 広島大学 | 細菌が生成する鉱物の構造評価 |
| F-16-RO-0016 | H28,8/2〜H29,2/6 | （B）機器利用 | 広島大学 | 凝集鉱物の熱処理前後構造評価 |
| F-16-RO-0017 | H28,9/1〜H28,10/6 | （C）技術代行 | 東京大学 | ：SOI チップ上へのSiNの成膜 |
| F-16-RO-0018 | H28,9/20〜H29,1/12 | （B）機器利用 | 広島大学 | プラズモン共鳴を利用した光伝導型テヘルツ波検出素子の高効率化 |
| F-16-RO-0019 | H28,9/28〜H29,2/3 | （E）技術補助 | 広島大学 | 円形溝への反磁性微小物導入 |
| F-16-RO-0020 | H28,10/18〜H28,12/14 | （A）共同研究 | 高知工科大学 | イオンビーム照射によるSi, SiC結晶の欠陥生成の研究 |
| F-16-RO-0021 | H28,10/11〜H28,10/14 | （C）技術代行 | 京都大学 | 標準シリコン酸化膜の膜厚測定(2) |
| F-16-RO-0022 | H28,10/17〜H29,1/20 | （B）機器利用 | 豊橋技術科学大学 | イオン注入法による窒化ガリウムのドーピング技術の開発 |
| F-16-RO-0023 | H28,10/22〜H28,11/15 | （C）技術代行 | 筑波大学 | SiN光方向性結合器と分子鋳型ポリマーの融合による新規バイオセンサの開発 |
| F-16-RO-0024 | H28,11/14〜H28,12/20 | （A）共同研究 | 兵庫県立大学 | 電界効果型マイクロウォール太陽電池の作製と評価（くし形Siウォールの形成） |
| F-16-RO-0025 | H28,11/14〜H28,12/22 | （A）共同研究 | 兵庫県立大学 | 電界効果型マイクロウォール太陽電池の作製と評価（ドーピングによる太陽電池の作製） |
| F-16-RO-0026 | H28,11/14〜H29,1/18 | （A）共同研究 | 兵庫県立大学 | 電界効果型マイクロウォール太陽電池の作製と評価（Alスパッタによるアノード・ゲート電極の形成） |
| F-16-RO-0027 | H28,11/24〜H29,2/7 | （B）機器利用 | 広島大学 | メニスカス力を用いたSOI 膜の転写における転写率向上の研究 |
| F-16-RO-0028 | H28,11/24〜H28,11/30 | （B）機器利用 | 広島大学 | PH3プラズマ処理および大気圧熱プラズマジェット熱処理によるシリコン薄膜の不純物ドーピング |
| F-16-RO-0029 | H28,11/24〜H29,2/3 | （B）機器利用 | 広島大学 | SiC-MOSFETの作製 |
| F-16-RO-0030 | H28,11/24〜H29,2/7 | （B）機器利用 | 広島大学 | ワイドバンギャップ半導体基板への高温イオン注入と短時間高温活性化アニールの研究 |
| F-16-RO-0031 | H28,11/24〜H29,1/20 | （B）機器利用 | (株)日本製鋼所 | PECVD装置によるSiO膜のドライエッチング処理方法の検討 |
| F-16-RO-0032 | H28,4/1〜H29,1/11 | （A）共同研究 | (株)フィルネックス | 窒化物薄膜LEDの開発 |
| F-16-RO-0033 | H28,11/24〜H29,1/20 | （B）機器利用 | (株)日本製鋼所 | CDE装置によるSiO膜のドライエッチング処理方法の検討 |
| F-16-RO-0034 | H29,2/1〜H29,2/17 | （B）機器利用 | 広島大学 | 低温成長InxGa1-xAs のショットキー接合の形成とその容量電圧特性の評価 |
| F-16-RO-0035 | H28,12/1〜H28,12/16 | （A）共同研究 | 兵庫県立大学 | 超微細DNA メモリートランジスタの研究 |
| F-16-RO-0036 | H29,1/1〜H29,2/14 | （B）機器利用 | 広島大学 | リング共振器バイオセンサのための流路形成 |
| F-16-RO-0037 | H28,10/1〜H29,1/27 | （B）機器利用 | 広島大学 | 学習機能をもつ光ニューラルネットワークの基礎研究 |
