平成２７年度ナノテクノロジープラットフォーム 支援一覧表
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| 課題番号 | 支援期間 | 支援形態 | 支援依頼機関 | 研究課題 |
|---|---|---|---|---|
| F-15-RO-0001 | H27,4/1〜H27,9/30 | （C）技術代行 | 広島大学 | 超臨界二酸化炭素雰囲気下における微細空間中のポリイミド蒸着機構の解明 |
| F-15-RO-0002 | H27,4/16〜H27,9/18 | （B）機器利用 | (株)日立ハイテクノロジーズ | 次世代デバイス向け先端露光プロセの検討 |
| F-15-RO-0003 | H27,4/15〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 一方向成長を促進した非晶質シリコンのレーザーアニール結晶化 |
| F-15-RO-0004 | H27,5/18〜H28,3/31 | （E）技術補助 | (株)ジェイ・エム・エス | 微細流路を用いた抵抗測定 |
| F-15-RO-0005 | H27,5/21〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 量子ドット固定領域制御技術のための微細加工パターン作成 |
| F-15-RO-0006 | H27,5/14〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | ラザフォード後方散乱法を用いた InP 基板上低温成長 In xGa 1-xAs 内の結晶欠陥評価 |
| F-15-RO-0007 | H27,5/14〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | InP 基板上低温成長InxGa1-xAs の成長とX 線回折法を用いたその結晶性の評価 |
| F-15-RO-0008 | H27,6/1〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | 微細結晶粒を有する低温poly-Si トンネルTFT のデバイス形成に関する研究 |
| F-15-RO-0009 | H27,6/1〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | 自己整合4 端子メタルダブルゲートCLC 低温poly-Si TFT の制御性に関する研究 |
| F-15-RO-0010 | H27,6/1〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高性能薄膜トランジスタの実現に向けた非晶質シリコンのレーザーアニール結晶化 |
| F-15-RO-0011 | H27,6/22〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | 金属誘起固相成長とhigh-k 膜を利用した自己整合4 端子低温poly-Si TFT の開発に関する研究 |
| F-15-RO-0012 | H27,7/7〜H27,12/28 | （C）技術代行 | 広島大学 | 高圧蒸着法における成膜特性とトレンチサイズの関係 |
| F-15-RO-0013 | H27,7/7〜H27,9/18 | （B）機器利用 | (株)日立ハイテクノロジーズ | 次世代デバイス向け極微細パターニングの検討 |
| F-15-RO-0015 | H27,9/1〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 埼玉大学 | 多量子ビーム検出用超伝導トンネル接合素子 |
| F-15-RO-0016 | H27,11/1〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 京都大学 | ミストCVD 法によるCu2ZnSnS4 薄膜のRBS を用いた組成評価に関する検討 |
| F-15-RO-0018 | H27,9/24〜H28,3/31 | （C）技術代行 | ：筑波大学 | 方向性結合器型干渉素子を用いたバイオセンシングデバイスの構築 |
| F-15-RO-0019 | H27,10/30〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | ：InP基板上アモルファス InxGa1-xAs の熱処理による結晶化とX線回折法を用いたその結晶性評価 |
| F-15-RO-0021 | H27,10/23〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 京都大学 | 標準シリコン酸化膜の膜厚測定 |
| F-15-RO-0023 | H27,11/16〜H28,3/31 | （A）共同研究 | 京都工芸繊維大学 | 高感度プラズモニックセンサーの開発を目指したナノ粒子表面修飾 |
| F-15-RO-0024 | H27,11/16〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | バイオセンシング用分子認識タンパク質の簡便な性能評価のためのSi 酸化膜基板の作製 |
| F-15-RO-0025 | H27,11/10〜H27,11/13 | （E）技術補助 | 大阪大学 | 電子ビーム露光を用いた室温動作 Si 単電子トランジスタ＆薄膜の設計・ 製作・評価 |
| F-15-RO-0026 | H27,11/10〜H27,11/13 | （E）技術補助 | 北海道大学 | 電子ビーム露光を用いた室温動作 Si 単電子トランジスタ＆薄膜の設計・ 製作・評価 |
| F-15-RO-0027 | H27,11/19〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 局在プラズモン共鳴を利用した光伝導型テラヘルツ波検出素子の高効率化 |
| F-15-RO-0028 | H27,12/10〜H28,3/31 | （A）共同研究 | 広島大学 | アルカリ土類金属によるSiC-MOSFETs の界面制御 |
| F-15-RO-0029 | H27,12/2〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 筑波大学 | 窒化シリコン方向性結合器バイオセンサによるアプタマー分析 |
| F-15-RO-0030 | H27,12/19〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 東北学院大学 | 塗布技術を用いて形成したhigh-k ゲート絶縁膜の評価 |
| F-15-RO-0031 | H28,1/4〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | ホール効果測定を用いたInP 基板上低温成長InxGa1-xAs の欠陥準位の評価 |
| F-15-RO-0032 | H28,1/22〜H28,1/22 | （B）機器利用 | 山口大学 | 表面粗さによる微小管速度制御技術の開発 |
| F-15-RO-0033 | H27,5/7〜H28,1/29 | （A）共同研究 | (株)フィルネックス | 窒化物半導体層のエッチング加工 |
| F-15-RO-0034 | H27,7/1〜H28,1/29 | （A）共同研究 | (株)フィルネックス | リフトオフによるメタルパーン形成 |
| F-15-RO-0035 | H27,10/1〜H28,1/31 | （A）共同研究 | (株)フィルネックス | 塗布膜のパターン加工 |
| F-15-RO-0036 | H28,2/1〜H28,3/31 | （E）技術補助 | 広島大学 | 生体反射板ガイダンス溝の作成 |
| F-15-RO-0037 | H28,2/3〜H28,3/31 | （C）技術代行 | 広島大学 | 超臨界蒸着法によるフッ素−カプトン系ポリイミドの成膜特性とトレンチサイズの関係 |
| F-15-RO-0038 | H27,11/10〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | Ge 中にイオン注入したAs の高効率活性化と化学状態分析 |
| F-15-RO-0039 | H27,11/10〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 電圧印加 XPSを用いた熱酸化SiO2/Si構造の内部電位評価 |
| F-15-RO-0040 | H28,1/4〜H28,3/13 | （B）機器利用 | 広島大学 | 狭間隔スロット光導波路のレジストパターン形成 |
| F-15-RO-0041 | H28,1/4〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | リッジ型光導波路実現のためのドライエッチング条件の探索 |
| F-15-RO-0042 | H28,1/4〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | スポットサイズ変換器用中間クラッド層の形成 |
| F-15-RO-0043 | H28,3/3〜H28,3/3 | （D）技術相談 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコンチッ化膜のプラズマ中表面計測についての相談 |
| F-15-RO-0044 | H28,1/12〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | 炭化ケイ素基板への高温リンイオン注入と短時間高温活性化アニールの研究 |
| F-15-RO-0045 | H28,1/14〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | Si/SiCヘテロ接合によるオーミックコンタトの形成 |
| F-15-RO-0047 | H28,1/14〜H28,3/31 | （B）機器利用 | 広島大学 | メニスカス力を用いたSOI 膜の転写における転写率向上の研究 |
