平成２５年度ナノテクノロジープラットフォーム　支援一覧表

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課題番号支援期間支援形態支援依頼機関研究課題
F-13-RO-0001H25,4/15〜H25,6/21（A）共同研究東北学院大学ガラス上単結晶シリコンTFTの開発
F-13-RO-0002H25,4/24〜H25,7/31（C）技術代行�螢肇�ヤマシリコンのドライエッチング速度に関する基礎検討
F-13-RO-0003H25,4/24〜H25,4/26（B）機器利用�蠧�立製作所単結晶シリコンの疲労を評価するデバイスの試作
F-13-RO-0004H25,4/25〜H25,10/2 (B）機器利用広島大学III-V族半導体薄膜の分子線エピタキシャル成長と新規光学デバイスの製作
F-13-RO-0005H25,5/10〜H25,6/21（C）技術代行東北学院大学薄膜トランジスタ開発のためのイオン注入条件の最適化
F-13-RO-0006H25,5/16〜H25,9/27（C）技術代行関西大学p-i-n接合シリコンナノワイヤの形成と光学特性評価
F-13-RO-0007H25,6/24〜H25,12/20（A）共同研究京都工芸繊維大学金属ナノ粒子を利用した環境反応材料の開発
F-13-RO-0008H25,6/11〜H25,6/27（C）技術代行広島大学微細なトレンチを有するシリコンウエハへのポリイミド薄膜の作製
F-13-RO-0009H25,6/11〜H25,10/10（C）技術代行広島大学ポリイミド微細加工における蒸着温度の影響
F-13-RO-0010H25,6/20〜H25,7/12（A）共同研究広島大学グラフェン量子ドットを基盤とした機能性物質群の創製
F-13-RO-0011H25,7/16〜H25,10/7（C）技術代行ティーイーアイソリューションズ��EBリソグラフィーによる微細ホール加工
F-13-RO-0012H25,7/16〜H25,10/10（C）技術代行ティーイーアイソリューションズ��厚膜酸化膜を有した基板の微細エッチング加工
F-13-RO-0014H25,6/24〜H25,10/10（A）共同研究大宮工業��真空を利用したＳｉウェハ上への無気泡フィルム接着装置の開発
F-13-RO-0015H25,7/11〜H25,8/30（A）共同研究広島大学マイクロ流路内を流れる赤血球の形状特性の実時間計測
F-13-RO-0016H25,7/16〜H25,10/18（C）技術代行埼玉大学多量子ビーム検出用超伝導トンネル接合素子
F-13-RO-0019H25,7/11〜H25,10/18（C）技術代行埼玉大学マイクロ波超伝導共振器アレイを用いた放射線検出器の開発
F-13-RO-0020H25,7/22〜H25,11/4（E）技術補助兵庫県立大学Geを活性層とする薄膜トランジスタの形成（イオン注入）
F-13-RO-0021H25,7/22〜H25,11/15（E）技術補助兵庫県立大学Geを活性層とする薄膜トランジスタ（Ge薄膜の形成）
F-13-RO-0022H25,7/22〜H25,11/11（E）技術補助兵庫県立大学Geを活性層とする薄膜トランジスタの形成（リソグラフィ）
F-13-RO-0023H25,7/22〜H25,11/15（E）技術補助兵庫県立大学Geを活性層とする薄膜トランジスタ（SiN薄膜の形成）
F-13-RO-0024H25,8/1〜H25,12/18（A）共同研究広島大学窒化物薄膜の構造と物性
F-13-RO-0025H25,8/1〜H25,8/14（A）共同研究日本放送協会空間光変調器用ドライバ分離領域の形成
F-13-RO-0026H25,8/1〜H25,8/14（A）共同研究日本放送協会空間光変調器用ドライバ回路閾値電圧制御用イオン注入
F-13-RO-0027H25,8/1〜H25,8/14（A）共同研究日本放送協会空間光変調器用ドライバ回路作製工程（トランジスタ前工程）
F-13-RO-0028H25,8/1〜H25,8/21（A）共同研究日本放送協会空間光変調器用ドライバ回路配線工程
F-13-RO-0029H25,8/22〜H25,10/25（C）技術代行�蠧�本触媒ＢＣＮ膜のエッチング評価
F-13-RO-0030H25,8/22〜H25,9/11（C）技術代行大阪大学NiGe層中へのリン注入によるNiGe/Ge界面ショットキー障壁変調機構の解明
F-13-RO-0031H25,10/1〜H25,10/9（A）共同研究兵庫県立大学DNAをチャネルとするSi半導体MOSFET（Siアイランド形成）
F-13-RO-0032H25,10/1〜H25,10/3（A）共同研究兵庫県立大学DNAをチャネルとするSi半導体MOSFETの作製（薄膜形成）
F-13-RO-0033H25,10/1〜H25,10/16（A）共同研究兵庫県立大学DNAをチャネルとするSi半導体MOSFETの作製（Siのドライエッチング）
F-13-RO-0034H25,9/2〜H26,3/31（C）技術代行名古屋大学自己組織化形成Ｓｉ系量子ドットの選択成長
F-13-RO-0035H25,9/12〜H26,9/30（B）機器利用広島大学高移動度グラフェン素子の作製と量子輸送現象の研究
F-13-RO-0036H25,9/12〜H26,3/31（B）機器利用広島大学原子層膜の表面電気伝導の研究
F-13-RO-0037H25,9/12〜H26,3/31（B）機器利用広島大学BNの表面凹凸がグラフェン素子の移動度に及ぼす影響の研究
F-13-RO-0038H25,9/12〜H26,3/31（B）機器利用広島大学BN多層グラフェン素子の作製と電子構造の研究
F-13-RO-0039H25,9/12〜H26,3/31（B）機器利用広島大学BN上の多細孔グラフェン素子の量子伝導の研究
F-13-RO-0040H25,9/13〜H26,3/31（A）共同研究島根大学微細構造シリコンにおける増強ラマン散乱効果の研究
F-13-RO-0041H25,12/1〜H26,3/31（C）技術代行広島大学微細な空間へのポリイミド薄膜作製における蒸着時間の影響
F-13-RO-0042H25,11/27〜H26,3/31（B）機器利用広島大学低温成長GaAs系半導体薄膜の結晶構造評価
F-13-RO-0043H25,12/10〜H26,3/31（A）共同研究広島大学RBS/PIXEを用いた低温成長GaAs系半導体薄膜の結晶構造解析
F-13-RO-0045H25,12/26〜H26,3/31（A）共同研究広島大学光デバイス用スポットサイズコンバータの研究
F-13-RO-0046H26,1//10〜H26,3/31（B）機器利用広島大学金属ナノパターンにおけるプラズモン共鳴のデバイス応用
F-13-RO-0047H25,12/26〜H26,3/31（A）共同研究広島大学SiCパワーデバイスのための不純物活性化の研究
F-13-RO-0048H26,1/6〜H26,3/31（A）共同研究群馬大学LPCVDを用いた多層トンネル接合型PIN太陽電池基板の特性解析
F-13-RO-0049H26,1/20〜H26,3/31（E）技術補助広島大学光八木宇田アンテナによる量子ドット発光の指向性制御
F-13-RO-0050H26,2/6〜H26,2/28（D）技術相談広島工業大学SiC基板へのイオン注入、熱処理、および注入された基板の注入分布および電気的特性評価
F-13-RO-0051H26,2/6〜H26,2/28（D）技術相談広島工業大学集積回路の検査に用いられるイリジウムメッキしたタングステンプローブの特性評価
F-13-RO-0052H26,2/13〜H26,2/28（B）機器利用名古屋大学GaN基板表面の組成評価
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